图像仅供参考 请参阅产品规格

    SI3493BDV-T1-E3

    MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SI3493BDV-T1-E3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TSOP-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 2.97 W
    Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 8 A
    Rds On-漏源导通电阻 27.5 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 400 mV
    Qg-栅极电荷 29 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,825

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4.5833
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4.5833 ¥4.5833
    10+ ¥4.3100 ¥43.1000
    100+ ¥3.3493 ¥334.9300
    500+ ¥2.9439 ¥1,471.9500
    3,000+ ¥2.0713 ¥6,213.9000
    6,000+ ¥1.9303 ¥11,581.8000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯