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| 数据手册 | IXTT1N450HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268HV-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 80 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,231
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥221.2667
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥221.2667 | ￥221.2667 |
| 5+ | ￥218.4197 | ￥1,092.0985 |
| 10+ | ￥208.7508 | ￥2,087.5080 |
| 25+ | ￥194.8687 | ￥4,871.7175 |
| 50+ | ￥186.5659 | ￥9,328.2950 |
| 100+ | ￥181.1189 | ￥18,111.8900 |
| 250+ | ￥166.1792 | ￥41,544.8000 |
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