RQ3L050GNTB
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RQ3L050GNTB 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | HSMT-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 14.8 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 5.3 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,239
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥4.2131
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥4.2131 | ¥4.2131 |
10+ | ¥3.5168 | ¥35.1680 |
100+ | ¥2.2652 | ¥226.5200 |
1,000+ | ¥1.8157 | ¥1,815.7000 |
3,000+ | ¥1.5336 | ¥4,600.8000 |
9,000+ | ¥1.4719 | ¥13,247.1000 |
24,000+ | ¥1.4191 | ¥34,058.4000 |
45,000+ | ¥1.3926 | ¥62,667.0000 |
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