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    SSM6N67NU,LF

    MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM6N67NU,LF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 UDFN-6
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVII-H
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 1 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 4 A
    Rds On-漏源导通电阻 39.1 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 400 mV
    Qg-栅极电荷 3.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,191

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.9703
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.9703 ¥2.9703
    10+ ¥2.3622 ¥23.6220
    100+ ¥1.2780 ¥127.8000
    1,000+ ¥0.8735 ¥873.5000
    3,000+ ¥0.7501 ¥2,250.3000
    9,000+ ¥0.6752 ¥6,076.8000
    24,000+ ¥0.6628 ¥15,907.2000
    45,000+ ¥0.6258 ¥28,161.0000

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