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    HP8S36TB

    MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 HP8S36TB 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 HSOP-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 3 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V, 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 27 A, 80 A
    Rds On-漏源导通电阻 6.7 mOhms, 2 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V
    Qg-栅极电荷 4.8 nC, 47 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,393

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.4879
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.4879 ¥8.4879
    10+ ¥7.2539 ¥72.5390
    100+ ¥5.5969 ¥559.6900
    500+ ¥4.9447 ¥2,472.3500
    1,000+ ¥4.5128 ¥4,512.8000
    2,500+ ¥4.3365 ¥10,841.2500

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