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RD3S100CNTL1

MOSFET Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)

制造商:
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 RD3S100CNTL1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-252-3
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 85 W
Vgs - 栅极-源极电压 20 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 190 V
Id-连续漏极电流 10 A
Rds On-漏源导通电阻 182 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 500 mV
Qg-栅极电荷 52 nC
通道模式 Enhancement

库存:56,199

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥11.5287
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥11.5287 ¥11.5287
10+ ¥9.7924 ¥97.9240
100+ ¥7.8092 ¥780.9200
500+ ¥6.8749 ¥3,437.4500
2,500+ ¥5.2708 ¥13,177.0000
5,000+ ¥5.0769 ¥25,384.5000
10,000+ ¥4.8830 ¥48,830.0000

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