| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 40 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
CoolMOS |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
43.1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
16 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
700 V |
| Id-连续漏极电流 |
8.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
490 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
10.5 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.0152
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥5.0152 |
￥5.0152 |
|
10+
|
￥4.1338 |
￥41.3380 |
|
100+
|
￥2.5032 |
￥250.3200 |
|
1,000+
|
￥2.1330 |
￥2,133.0000 |
|
2,500+
|
￥1.8774 |
￥4,693.5000 |
|
10,000+
|
￥1.8245 |
￥18,245.0000 |
|
25,000+
|
￥1.7628 |
￥44,070.0000 |
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