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    NVD5C688NLT4G

    MOSFET T6 60V LL DPAK

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NVD5C688NLT4G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 18 W
    Vgs - 栅极-源极电压 16 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 17 A
    Rds On-漏源导通电阻 22.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
    Qg-栅极电荷 7 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,296

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4.6450
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4.6450 ¥4.6450
    10+ ¥3.8076 ¥38.0760
    100+ ¥2.6706 ¥267.0600
    500+ ¥2.3093 ¥1,154.6500
    2,500+ ¥1.8421 ¥4,605.2500
    5,000+ ¥1.7011 ¥8,505.5000
    10,000+ ¥1.5865 ¥15,865.0000
    25,000+ ¥1.5336 ¥38,340.0000

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