FDP4D5N10C
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | FDP4D5N10C 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 128 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 68 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,051
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.8730
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.8730 | ￥35.8730 |
| 10+ | ￥30.4876 | ￥304.8760 |
| 100+ | ￥24.3531 | ￥2,435.3100 |
| 250+ | ￥22.9869 | ￥5,746.7250 |
| 500+ | ￥21.6913 | ￥10,845.6500 |
| 1,000+ | ￥18.9589 | ￥18,958.9000 |
| 2,500+ | ￥18.2802 | ￥45,700.5000 |
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