HP8MA2TB1
MOSFET 30V NCH+PCH MIDDLE POWER
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | HP8MA2TB1 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | HSOP-8 |
通道数量 | 2 Channel |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 7 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 18 A, 15 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 9.6 mOhms, 17.9 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 22 nC, 25 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,318
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥9.4222
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥9.4222 | ¥9.4222 |
10+ | ¥8.0560 | ¥80.5600 |
100+ | ¥6.4430 | ¥644.3000 |
500+ | ¥5.6410 | ¥2,820.5000 |
2,500+ | ¥4.3541 | ¥10,885.2500 |
5,000+ | ¥4.1867 | ¥20,933.5000 |
10,000+ | ¥4.0280 | ¥40,280.0000 |
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