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    TK099V65Z,LQ

    MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK099V65Z,LQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 DFN8x8-5
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSVI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 30 A
    Rds On-漏源导通电阻 0.099 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 47 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,199

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥28.7513
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥28.7513 ¥28.7513
    10+ ¥25.7721 ¥257.7210
    100+ ¥19.5142 ¥1,951.4200
    250+ ¥18.2185 ¥4,554.6250
    1,000+ ¥14.7458 ¥14,745.8000
    2,500+ ¥14.1905 ¥35,476.2500
    5,000+ ¥13.5119 ¥67,559.5000

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