文档与媒体
数据手册 | SISA01DN-T1-GE3 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, 16 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2.2 V |
Qg-栅极电荷 | 56 nC |
库存:56,055
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥5.7644
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥5.7644 | ¥5.7644 |
10+ | ¥4.6626 | ¥46.6260 |
100+ | ¥3.5344 | ¥353.4400 |
500+ | ¥2.9262 | ¥1,463.1000 |
3,000+ | ¥2.1154 | ¥6,346.2000 |
6,000+ | ¥1.9743 | ¥11,845.8000 |
9,000+ | ¥1.9038 | ¥17,134.2000 |
24,000+ | ¥1.8245 | ¥43,788.0000 |
申请更低价? 请联系客服