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数据手册 | SiSA26DN-T1-GE3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 39 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 16 V, - 12 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.15 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 44 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,428
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥5.2708
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥5.2708 | ¥5.2708 |
10+ | ¥4.3541 | ¥43.5410 |
100+ | ¥3.2876 | ¥328.7600 |
500+ | ¥2.6883 | ¥1,344.1500 |
3,000+ | ¥1.9303 | ¥5,790.9000 |
6,000+ | ¥1.8598 | ¥11,158.8000 |
9,000+ | ¥1.7892 | ¥16,102.8000 |
24,000+ | ¥1.7452 | ¥41,884.8000 |
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