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    STF33N60M6

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STF33N60M6 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 35 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 25 A
    Rds On-漏源导通电阻 125 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.25 V
    Qg-栅极电荷 33.4 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,773

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥23.7273
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥23.7273 ¥23.7273
    10+ ¥20.2017 ¥202.0170
    100+ ¥16.1120 ¥1,611.2000
    250+ ¥15.2394 ¥3,809.8500
    500+ ¥14.3756 ¥7,187.8000
    1,000+ ¥12.2691 ¥12,269.1000
    2,000+ ¥11.8989 ¥23,797.8000
    5,000+ ¥11.0263 ¥55,131.5000

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