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    IGLD60R070D1AUMA1

    MOSFET GAN HV

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IGLD60R070D1AUMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PG-LSON-8
    通道数量 1 Channel
    技术 GaN
    商标名 CoolGaN
    配置 Single
    Pd-功率耗散 114 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 15 A
    Rds On-漏源导通电阻 70 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V
    Qg-栅极电荷 5.8 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,288

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥136.1939
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥136.1939 ¥136.1939
    10+ ¥125.5995 ¥1,255.9950
    25+ ¥119.9585 ¥2,998.9625
    100+ ¥105.8297 ¥10,582.9700
    250+ ¥98.7697 ¥24,692.4250
    500+ ¥90.3435 ¥45,171.7500
    1,000+ ¥88.8539 ¥88,853.9000
    3,000+ ¥86.8091 ¥260,427.3000

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