文档与媒体
数据手册 | IGT60R070D1ATMA1 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PG-HSOF-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | GaN |
商标名 | CoolGaN |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 31 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 0.9 V |
Qg-栅极电荷 | 5.8 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,924
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥138.3005
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥138.3005 | ¥138.3005 |
10+ | ¥127.5827 | ¥1,275.8270 |
25+ | ¥121.8183 | ¥3,045.4575 |
100+ | ¥107.5044 | ¥10,750.4400 |
250+ | ¥100.3209 | ¥25,080.2250 |
500+ | ¥93.6840 | ¥46,842.0000 |
1,000+ | ¥90.8988 | ¥90,898.8000 |
2,000+ | ¥88.1753 | ¥176,350.6000 |
申请更低价? 请联系客服