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    SQS407ENW-T1_GE3

    MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SQS407ENW-T1_GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 PowerPAK-1212-8W
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 62.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 16 A
    Rds On-漏源导通电阻 10.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V
    Qg-栅极电荷 77 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,523

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.2091
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.2091 ¥5.2091
    10+ ¥4.6450 ¥46.4500
    100+ ¥3.6226 ¥362.2600
    500+ ¥2.9879 ¥1,493.9500
    3,000+ ¥2.2035 ¥6,610.5000
    6,000+ ¥2.0537 ¥12,322.2000
    9,000+ ¥1.9743 ¥17,768.7000
    24,000+ ¥1.9038 ¥45,691.2000

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