文档与媒体
| 数据手册 | SIHP180N60E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,026
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.2057
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.2057 | ￥19.2057 |
| 10+ | ￥16.2971 | ￥162.9710 |
| 100+ | ￥13.8204 | ￥1,382.0400 |
| 250+ | ￥13.5736 | ￥3,393.4000 |
| 500+ | ￥12.7627 | ￥6,381.3500 |
| 1,000+ | ￥10.1008 | ￥10,100.8000 |
| 2,500+ | ￥9.5456 | ￥23,864.0000 |
| 5,000+ | ￥9.2283 | ￥46,141.5000 |
申请更低价? 请联系客服
