DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | DMT10H072LFDFQ-7 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | U-DFN2020-6 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 2.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,009
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.7195
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.7195 | ￥3.7195 |
| 10+ | ￥3.1819 | ￥31.8190 |
| 100+ | ￥1.7981 | ￥179.8100 |
| 1,000+ | ￥1.4455 | ￥1,445.5000 |
| 3,000+ | ￥1.1987 | ￥3,596.1000 |
| 9,000+ | ￥1.1194 | ￥10,074.6000 |
| 24,000+ | ￥1.0929 | ￥26,229.6000 |
| 45,000+ | ￥1.0665 | ￥47,992.5000 |
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