| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
192 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
| Id-连续漏极电流 |
24 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
150 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
5 V |
| Qg-栅极电荷 |
43 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥24.5382
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥24.5382 |
￥24.5382 |
|
10+
|
￥20.8804 |
￥208.8040 |
|
100+
|
￥16.6673 |
￥1,666.7300 |
|
250+
|
￥15.7418 |
￥3,935.4500 |
|
800+
|
￥12.9478 |
￥10,358.2400 |
|
2,400+
|
￥12.5159 |
￥30,038.1600 |
|
4,800+
|
￥11.9606 |
￥57,410.8800 |
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