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    IGOT60R070D1AUMA1

    MOSFET GAN HV

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IGOT60R070D1AUMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PG-DSO-20
    通道数量 1 Channel
    技术 GaN
    商标名 CoolGaN
    Pd-功率耗散 125 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 31 A
    Rds On-漏源导通电阻 70 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V
    Qg-栅极电荷 5.8 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,518

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥140.4687
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥140.4687 ¥140.4687
    10+ ¥129.5658 ¥1,295.6580
    25+ ¥123.7397 ¥3,093.4925
    100+ ¥109.1790 ¥10,917.9000
    250+ ¥101.8634 ¥25,465.8500
    500+ ¥93.1287 ¥46,564.3500
    800+ ¥89.5326 ¥71,626.0800

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