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    IGT60R190D1SATMA1

    MOSFET GAN HV

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IGT60R190D1SATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PG-HSOF-8
    通道数量 1 Channel
    技术 GaN
    商标名 CoolGaN
    配置 Single
    Pd-功率耗散 55.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 12.5 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V
    Qg-栅极电荷 3.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,739

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥81.0447
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥81.0447 ¥81.0447
    10+ ¥71.3846 ¥713.8460
    100+ ¥61.7156 ¥6,171.5600
    250+ ¥59.7942 ¥14,948.5500
    500+ ¥55.9513 ¥27,975.6500
    1,000+ ¥51.3063 ¥51,306.3000
    2,000+ ¥48.2038 ¥96,407.6000

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