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IGT60R190D1SATMA1

MOSFET GAN HV

制造商:
Infineon Technologies
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 IGT60R190D1SATMA1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 PG-HSOF-8
通道数量 1 Channel
技术 GaN
商标名 CoolGaN
配置 Single
Pd-功率耗散 55.5 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 12.5 A
Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V
Qg-栅极电荷 3.2 nC
通道模式 Enhancement

库存:56,739

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥81.0447
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥81.0447 ¥81.0447
10+ ¥71.3846 ¥713.8460
100+ ¥61.7156 ¥6,171.5600
250+ ¥59.7942 ¥14,948.5500
500+ ¥55.9513 ¥27,975.6500
1,000+ ¥51.3063 ¥51,306.3000
2,000+ ¥48.2038 ¥96,407.6000

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