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    IXTX120N65X2

    MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTX120N65X2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PLUS-247-3
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1250 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 23 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V

    库存:51,190

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥104.0933
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥104.0933 ¥104.0933
    10+ ¥95.6672 ¥956.6720
    50+ ¥90.9605 ¥4,548.0250
    100+ ¥79.3084 ¥7,930.8400
    500+ ¥71.8782 ¥35,939.1000
    1,000+ ¥71.8165 ¥71,816.5000

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