NVMFD6H852NLT1G
MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NVMFD6H852NLT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 25.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,425
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.4559
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.4559 | ￥5.4559 |
| 10+ | ￥4.6185 | ￥46.1850 |
| 100+ | ￥3.4639 | ￥346.3900 |
| 250+ | ￥3.3581 | ￥839.5250 |
| 1,000+ | ￥2.3886 | ￥2,388.6000 |
| 1,500+ | ￥2.3181 | ￥3,477.1500 |
| 4,500+ | ￥2.2476 | ￥10,114.2000 |
| 9,000+ | ￥2.0448 | ￥18,403.2000 |
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