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    DMT35M4LFDF-7

    MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMT35M4LFDF-7 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 U-DFN2020-6
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 0.86 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 13 A
    Rds On-漏源导通电阻 6.9 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 14.9 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,273

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.7852
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.7852 ¥2.7852
    10+ ¥2.3533 ¥23.5330
    100+ ¥1.4279 ¥142.7900
    1,000+ ¥1.1106 ¥1,110.6000
    3,000+ ¥0.9431 ¥2,829.3000
    9,000+ ¥0.8796 ¥7,916.4000
    24,000+ ¥0.8303 ¥19,927.2000
    45,000+ ¥0.8118 ¥36,531.0000

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