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| 数据手册 | IXFQ50N60X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 116 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,229
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥60.1644
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥60.1644 | ￥60.1644 |
| 10+ | ￥54.2149 | ￥542.1490 |
| 25+ | ￥45.1101 | ￥1,127.7525 |
| 50+ | ￥41.8841 | ￥2,094.2050 |
| 100+ | ￥40.9587 | ￥4,095.8700 |
| 250+ | ￥37.3625 | ￥9,340.6250 |
| 500+ | ￥34.0837 | ￥17,041.8500 |
| 1,000+ | ￥32.5325 | ￥32,532.5000 |
| 2,500+ | ￥27.8875 | ￥69,718.7500 |
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