| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-247-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SiC |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
503 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
- 10 V, 19 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
900 V |
| Id-连续漏极电流 |
118 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
28 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
4.3 V |
| Qg-栅极电荷 |
196 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥128.7549
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥128.7549 |
￥128.7549 |
|
10+
|
￥118.3456 |
￥1,183.4560 |
|
25+
|
￥113.4538 |
￥2,836.3450 |
|
100+
|
￥98.1527 |
￥9,815.2700 |
|
250+
|
￥95.0502 |
￥23,762.5500 |
|
500+
|
￥88.9156 |
￥44,457.8000 |
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