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| 数据手册 | IMW120R090M1HXKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | CoolSiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 7 V, 23 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 117 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,002
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥73.4294
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥73.4294 | ￥73.4294 |
| 10+ | ￥64.6859 | ￥646.8590 |
| 100+ | ￥55.9513 | ￥5,595.1300 |
| 250+ | ￥54.2149 | ￥13,553.7250 |
| 500+ | ￥50.6893 | ￥25,344.6500 |
| 1,000+ | ￥46.4762 | ￥46,476.2000 |
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