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| 数据手册 | SISS05DN-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 65.7 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, 16 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 108 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 76 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,056
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.6241
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.6241 | ￥7.6241 |
| 10+ | ￥6.5664 | ￥65.6640 |
| 100+ | ￥4.9623 | ￥496.2300 |
| 500+ | ￥4.2660 | ￥2,133.0000 |
| 3,000+ | ￥3.1378 | ￥9,413.4000 |
| 6,000+ | ￥2.9879 | ￥17,927.4000 |
| 9,000+ | ￥2.8734 | ￥25,860.6000 |
| 24,000+ | ￥2.7852 | ￥66,844.8000 |
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