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    IPT60R022S7XTMA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPT60R022S7XTMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 HSOF-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 390 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 23 A
    Rds On-漏源导通电阻 22 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4.5 V
    Qg-栅极电荷 150 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,484

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥76.3998
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥76.3998 ¥76.3998
    10+ ¥70.2035 ¥702.0350
    100+ ¥58.4897 ¥5,848.9700
    250+ ¥56.3832 ¥14,095.8000
    500+ ¥52.7342 ¥26,367.1000
    1,000+ ¥48.3889 ¥48,388.9000
    2,000+ ¥45.4802 ¥90,960.4000

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