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    IPB60R055CFD7ATMA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB60R055CFD7ATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 178 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 38 A
    Rds On-漏源导通电阻 55 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4.5 V
    Qg-栅极电荷 79 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,981

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥53.3511
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥53.3511 ¥53.3511
    10+ ¥45.9121 ¥459.1210
    100+ ¥38.3585 ¥3,835.8500
    250+ ¥37.2392 ¥9,309.8000
    1,000+ ¥30.2408 ¥30,240.8000
    2,000+ ¥29.3066 ¥58,613.2000

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