图像仅供参考 请参阅产品规格
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| 数据手册 | HY050N08B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 85V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 105A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 166W(Tc) |
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| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 85V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 105A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 166W(Tc) |
