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| 数据手册 | HY1206D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 75mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 31.3W(Tc) |
库存：55,063
- 交货地：
- 国内
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| 产品属性 | 属性值 |
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| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 75mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 31.3W(Tc) |
