图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
数据手册 | HY050N08B 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 85V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 105A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 40A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 166W(Tc) |
库存:51,956
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
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产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 85V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 105A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5.5mΩ @ 40A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 166W(Tc) |