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数据手册 | LBSS84DW1T1G 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | 双P沟道 |
漏源电压(Vdss) | -50V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 130mA |
栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 10Ω @ 100mA,5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 380mW |
库存:56,974
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.1448
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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20+ | ¥0.1448 | ¥2.8960 |
200+ | ¥0.1066 | ¥21.3200 |
600+ | ¥0.0996 | ¥59.7600 |
2,000+ | ¥0.0925 | ¥185.0000 |
10,000+ | ¥0.0894 | ¥894.0000 |
20,000+ | ¥0.0879 | ¥1,758.0000 |
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