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KND7610A

N沟道,100V,25A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND7610A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 25A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 38mΩ @ 14A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 60W(Tc)

库存:54,621

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.3160
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.3160 ¥1.3160
10+ ¥1.0315 ¥10.3150
30+ ¥0.9792 ¥29.3760
100+ ¥0.9270 ¥92.7000
500+ ¥0.9037 ¥451.8500
1,000+ ¥0.8922 ¥892.2000

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