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| 数据手册 | 4N65L-Q-TM3-T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.5Ω @ 2.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W |
库存：52,345
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.0255
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.0255 | ￥1.0255 |
| 10+ | ￥0.7683 | ￥7.6830 |
| 30+ | ￥0.7210 | ￥21.6300 |
| 100+ | ￥0.6738 | ￥67.3800 |
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