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数据手册 | HY045N10B 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 120A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 5mΩ @ 50A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 221W(Tc) |
库存:52,985
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥3.7596
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥3.7596 | ¥3.7596 |
10+ | ¥2.7690 | ¥27.6900 |
30+ | ¥2.5818 | ¥77.4540 |
100+ | ¥2.4024 | ¥240.2400 |
500+ | ¥2.3166 | ¥1,158.3000 |
1,000+ | ¥2.2776 | ¥2,277.6000 |
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