图像仅供参考 请参阅产品规格

HY045N10B

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY045N10B 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 221W(Tc)

库存:52,985

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.7596
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.7596 ¥3.7596
10+ ¥2.7690 ¥27.6900
30+ ¥2.5818 ¥77.4540
100+ ¥2.4024 ¥240.2400
500+ ¥2.3166 ¥1,158.3000
1,000+ ¥2.2776 ¥2,277.6000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯