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数据手册 | 7NM65G-TN3-R 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 900mΩ @ 3.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 60W(Tc) |
库存:58,630
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.8018
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.8018 | ¥1.8018 |
10+ | ¥1.3494 | ¥13.4940 |
30+ | ¥1.2636 | ¥37.9080 |
100+ | ¥1.1856 | ¥118.5600 |
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