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数据手册 | 4N80L-TM3-T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 3Ω @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 50W |
库存:54,744
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.8642
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.8642 | ¥1.8642 |
10+ | ¥1.3962 | ¥13.9620 |
30+ | ¥1.3104 | ¥39.3120 |
100+ | ¥1.2246 | ¥122.4600 |
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