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VBA1101M

N沟道,100V,3.5A,95mΩ@10V

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBA1101M 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.2A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 150mΩ @ 2.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 4.8W(Tc)

库存:50,306

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.7828
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.7828 ¥0.7828
10+ ¥0.5792 ¥5.7920
30+ ¥0.5419 ¥16.2570
100+ ¥0.5045 ¥50.4500
500+ ¥0.4879 ¥243.9500
1,000+ ¥0.4797 ¥479.7000

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