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HY5110W
N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3
- 制造商：
- HUAYI(华羿微)
- 产品类别
- MOS(场效应管)
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | HY5110W 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 316A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.5mΩ @ 158A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500W |
库存：56,082
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.0870
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.0870 | ￥9.0870 |
| 10+ | ￥6.7938 | ￥67.9380 |
| 30+ | ￥6.3648 | ￥190.9440 |
| 100+ | ￥5.9436 | ￥594.3600 |
| 500+ | ￥5.7564 | ￥2,878.2000 |
| 1,000+ | ￥5.6628 | ￥5,662.8000 |
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