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HY19P03B

P沟道 -30V -90A ,4.8mΩ导通电阻

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY19P03B 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 90A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 6mΩ @ 45A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 96W(Tc)

库存:52,507

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.5834
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.5834 ¥1.5834
10+ ¥1.1778 ¥11.7780
30+ ¥1.0998 ¥32.9940
100+ ¥1.0296 ¥102.9600
500+ ¥0.9906 ¥495.3000
1,000+ ¥0.9750 ¥975.0000

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