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WFD2N65L

制造商:
Winsemi(稳先微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 WFD2N65L 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 35W(Tc)

库存:59,983

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5793
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5793 ¥2.8965
50+ ¥0.4312 ¥21.5600
150+ ¥0.4040 ¥60.6000
500+ ¥0.3768 ¥188.4000
2,500+ ¥0.3647 ¥911.7500
5,000+ ¥0.3587 ¥1,793.5000

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