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HY1603D

N沟道,30V,62A,4mΩ@10V

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY1603D 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 62A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 5.5mΩ @ 31A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 36W(Tc)

库存:59,981

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.6853
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.6853 ¥0.6853
10+ ¥0.5068 ¥5.0680
30+ ¥0.4741 ¥14.2230
100+ ¥0.4413 ¥44.1300
500+ ¥0.4267 ¥213.3500
1,000+ ¥0.4196 ¥419.6000

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