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数据手册 | G1002L 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 250mΩ @ 1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.1W |
库存:51,013
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.3356
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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5+ | ¥0.3356 | ¥1.6780 |
50+ | ¥0.2512 | ¥12.5600 |
150+ | ¥0.2357 | ¥35.3550 |
500+ | ¥0.2202 | ¥110.1000 |
2,500+ | ¥0.2133 | ¥533.2500 |
5,000+ | ¥0.2099 | ¥1,049.5000 |
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