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HY3306B

N沟道,60V,130A,5.4mΩ@10V

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY3306B 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 130A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 6.8mΩ @ 65A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 230W(Tc)

库存:50,625

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.3150
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.3150 ¥3.3150
10+ ¥2.4570 ¥24.5700
30+ ¥2.3010 ¥69.0300
100+ ¥2.1450 ¥214.5000
500+ ¥2.0748 ¥1,037.4000
1,000+ ¥2.0358 ¥2,035.8000

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