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数据手册 | HY3208AP 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 120A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 7mΩ @ 60A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 227W(Tc) |
库存:59,745
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥2.0982
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥2.0982 | ¥2.0982 |
10+ | ¥1.5366 | ¥15.3660 |
30+ | ¥1.4352 | ¥43.0560 |
100+ | ¥1.3338 | ¥133.3800 |
500+ | ¥1.2870 | ¥643.5000 |
1,000+ | ¥1.2636 | ¥1,263.6000 |
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