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WFD7N65L

N沟道

制造商:
Winsemi(稳先微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 WFD7N65L 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.45Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 40W(Tc)

库存:52,055

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.1892
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.1892 ¥1.1892
10+ ¥0.8851 ¥8.8510
30+ ¥0.8293 ¥24.8790
100+ ¥0.7734 ¥77.3400
500+ ¥0.7486 ¥374.3000
1,000+ ¥0.7363 ¥736.3000

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