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LNL04R120

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LNL04R120 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
栅源极阈值电压 2V @ 250uA
漏源导通电阻 16mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.1W(Tc)

库存:51,888

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5863
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5863 ¥2.9315
50+ ¥0.4343 ¥21.7150
150+ ¥0.4063 ¥60.9450
500+ ¥0.3784 ¥189.2000
2,500+ ¥0.3660 ¥915.0000
5,000+ ¥0.3599 ¥1,799.5000

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